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MJD117
自营可供
IC

TO-252-2L

MJD117

达林顿管 MJD117

品牌

CJ

封装

TO-252-2L

交期

现货

批次

25+

MJD117参数

封装TO-252-2L
品牌CJ(江苏长电/长晶)
批次25+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)500
集电极截止电流(Icbo)10uA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存2,648
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)2A
耗散功率(Pd)1.75W
特征频率(fT)25MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))3V
射基极击穿电压(Vebo)5V

MJD117概述

达林顿管 MJD117

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