MJD112T4G
自营可供
IC
TO-252(DPAK)
MJD112T4G
达林顿管 20W 100V 1000@3V, 2A NPN
品牌
ON
封装
TO-252(DPAK)
交期
现货
批次
两年内
MJD112T4G参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V |
| 特征频率(fT) | 25MHz |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 3,956 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
MJD112T4G概述
达林顿管 20W 100V 1000@3V, 2A NPN