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MJD112T4
自营可供
IC

TO-252

MJD112T4

达林顿管 20W 100V 1000@2A, 3V NPN

品牌

ST

封装

TO-252

交期

现货

批次

25+

产品参数概述

MJD112T4参数

封装TO-252
品牌ST(意法半导体)
批次25+
类型NPN
集电极电流(Ic)2A
集电极截止电流(Icbo)20uA
直流电流增益(hFE)1000
分类达林顿管
库存787
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)20W
集射极饱和电压(VCE(sat))3V

MJD112T4概述

达林顿管 20W 100V 1000@2A, 3V NPN

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