MJD112T4
IC
TO-252
可供量大可议
MJD112T4
达林顿管 20W 100V 1000@2A, 3V NPN
品牌
ST
封装
TO-252
库存
787
货期
现货
MJD112T4参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 25+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 787 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V |
MJD112T4概述
达林顿管 20W 100V 1000@2A, 3V NPN
MJD112T4特性
暂无产品特性。
MJD112T4应用领域
暂无应用领域。