MJD08N65
IC
TO-252
可供量大可议
MJD08N65
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：500mΩ
Brand
MP
Package
TO-252
Stock
2,481
货期
现货
MJD08N65Parameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MP(美禄科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2481 |
MJD08N65概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：500mΩ
MJD08N65特性
暂无产品特性。
MJD08N65应用领域
暂无应用领域。