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MJC30N65
IC

TO-220

可供量大可议

MJC30N65

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):95mΩ

品牌

MP

封装

TO-220

库存

6

货期

现货

MJC30N65参数

封装TO-220
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存6

MJC30N65概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):95mΩ

MJC30N65特性

暂无产品特性。

MJC30N65应用领域

暂无应用领域。

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