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MJ11032G
IC

TO-204-2 (TO-3)

可供量大可议

MJ11032G

达林顿管 MJ11032G TO-3

品牌

ON

封装

TO-204-2 (TO-3)

库存

58

货期

现货

MJ11032G参数

封装TO-204-2 (TO-3)
品牌ON(安森美)
批次25+
类型NPN
集电极电流(Ic)50A
集射极饱和电压(VCE(sat))3.5V
射基极击穿电压(Vebo)5V
工作温度-55℃~+200℃@(Tj)
分类达林顿管
库存58
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)120V
耗散功率(Pd)300W
直流电流增益(hFE)1000
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))4.5V

MJ11032G概述

达林顿管 MJ11032G TO-3

MJ11032G特性

暂无产品特性。

MJ11032G应用领域

暂无应用领域。

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