MIC5166YML-TR
IC
DFN-10(3x3)
可供量大可议
MIC5166YML-TR
是一款高速、线性、低VIN的双数据速率(DDR)内存终端电源。 体积小, 所需输出电容小, 可方便地放置在DDR内存附近, 以最小化可能导致DDR内存出现过大电压纹波的电路板布局电感。 内部包含一个精密分压器网络, 能够将VDDQ电压作为参考电压, 并方便地输出为VDDQ输入电压一半的终端电压(VTT)。 能够吸收和提供高达3A的电流。 仅使用两个10μF陶瓷输出电容即可保持稳定。 采用小型3mm×3mm热增强型DFN封装。 具有一个高端NMOS输出级, 输出阻抗非常低, 带宽非常高, 能够对DDR内存终端电源应用所需的突然负载变化做出非常快速的响应。
品牌
MICROCHIP
封装
DFN-10(3x3)
库存
4
货期
现货
MIC5166YML-TR参数
| 封装 | DFN-10(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 专业电源管理(PMIC) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
MIC5166YML-TR概述
是一款高速、线性、低VIN的双数据速率(DDR)内存终端电源。 体积小, 所需输出电容小, 可方便地放置在DDR内存附近, 以最小化可能导致DDR内存出现过大电压纹波的电路板布局电感。 内部包含一个精密分压器网络, 能够将VDDQ电压作为参考电压, 并方便地输出为VDDQ输入电压一半的终端电压(VTT)。 能够吸收和提供高达3A的电流。 仅使用两个10μF陶瓷输出电容即可保持稳定。 采用小型3mm×3mm热增强型DFN封装。 具有一个高端NMOS输出级, 输出阻抗非常低, 带宽非常高, 能够对DDR内存终端电源应用所需的突然负载变化做出非常快速的响应。
MIC5166YML-TR特性
暂无产品特性。
MIC5166YML-TR应用领域
暂无应用领域。
