MGV012N10N
IC
TOLL
可供量大可议
MGV012N10N
类型：1个N沟道 漏源电压100V 漏极电流411A 导通电阻1.2mΩ@10V, 50A 耗散功率600W 阈值电压3.2V 栅极电荷157nC@10V 输入电容11074pF@50V 反向传输电容176pF@50V 工作温度-55℃~+150℃
品牌
Megain
封装
TOLL
库存
301
货期
现货
MGV012N10N参数
| 封装 | TOLL |
|---|---|
| 品牌 | Megain(美佳音) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 301 |
MGV012N10N概述
类型：1个N沟道 漏源电压100V 漏极电流411A 导通电阻1.2mΩ@10V, 50A 耗散功率600W 阈值电压3.2V 栅极电荷157nC@10V 输入电容11074pF@50V 反向传输电容176pF@50V 工作温度-55℃~+150℃
MGV012N10N特性
暂无产品特性。
MGV012N10N应用领域
暂无应用领域。