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MGSF1N03L(UMW)
IC

SOT-23

可供量大可议

MGSF1N03L(UMW)

特性:这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(ON))可确保最小的功率损耗并节约能源, 使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS = 4.5V)

品牌

UMW

封装

SOT-23

库存

2,020

货期

现货

MGSF1N03L(UMW)参数

封装SOT-23
品牌UMW(友台半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存2020

MGSF1N03L(UMW)概述

特性:这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(ON))可确保最小的功率损耗并节约能源, 使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS = 4.5V)

MGSF1N03L(UMW)特性

暂无产品特性。

MGSF1N03L(UMW)应用领域

暂无应用领域。

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