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MGB100D06L
IC

PDFN-8L(3x3)

可供量大可议

MGB100D06L

类型:1个N沟道 漏源电压60V 漏极电流29A 导通电阻10mΩ@10V, 10A 耗散功率20.8W 阈值电压2V 栅极电荷15.8nC@10V 输入电容760pF@30V 反向传输电容26pF@30V 工作温度-55℃~+150℃

品牌

Megain

封装

PDFN-8L(3x3)

库存

660

货期

现货

MGB100D06L参数

封装PDFN-8L(3x3)
品牌Megain(美佳音)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存660

MGB100D06L概述

类型:1个N沟道 漏源电压60V 漏极电流29A 导通电阻10mΩ@10V, 10A 耗散功率20.8W 阈值电压2V 栅极电荷15.8nC@10V 输入电容760pF@30V 反向传输电容26pF@30V 工作温度-55℃~+150℃

MGB100D06L特性

暂无产品特性。

MGB100D06L应用领域

暂无应用领域。

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