MG150HF12TLC1
IC
可供量大可议
MG150HF12TLC1
特性：采用沟槽技术实现低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。 高短路能力（10μs）。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175℃。 应用：电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
品牌
YANGJIE
封装
库存
3
货期
现货
MG150HF12TLC1参数
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
|---|---|
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
MG150HF12TLC1概述
特性：采用沟槽技术实现低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。 高短路能力（10μs）。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175℃。 应用：电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
MG150HF12TLC1特性
暂无产品特性。
MG150HF12TLC1应用领域
暂无应用领域。