MG150HF12TFC2
IC
C2
可供量大可议
MG150HF12TFC2
特性：低Vce(sat)， 采用沟槽技术。 低开关损耗， 特别是Eoff。 Vce(sat)具有正温度系数。 高短路能力（10us）。 包含超快速和软恢复反并联FWD。 低电感封装。 应用：运动/伺服控制。 高频开关应用
品牌
YANGJIE
封装
C2
库存
3
货期
现货
MG150HF12TFC2参数
| 封装 | C2 |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
MG150HF12TFC2概述
特性：低Vce(sat)， 采用沟槽技术。 低开关损耗， 特别是Eoff。 Vce(sat)具有正温度系数。 高短路能力（10us）。 包含超快速和软恢复反并联FWD。 低电感封装。 应用：运动/伺服控制。 高频开关应用
MG150HF12TFC2特性
暂无产品特性。
MG150HF12TFC2应用领域
暂无应用领域。