MG10P12P2
IC
P2
可供量大可议
MG10P12P2
特性：低开关损耗。 低VCE(sat)， 具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力（10μs）。 使用DBC技术的隔离散热片。 应用：电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器
品牌
YANGJIE
封装
P2
库存
1
货期
现货
MG10P12P2参数
| 封装 | P2 |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
MG10P12P2概述
特性：低开关损耗。 低VCE(sat)， 具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力（10μs）。 使用DBC技术的隔离散热片。 应用：电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器
MG10P12P2特性
暂无产品特性。
MG10P12P2应用领域
暂无应用领域。