MEM2303M3G

MEM2303M3G系列P沟道增强型场效应晶体管， 采用高单元密度DMOS沟槽技术制造， 该技术专门用于最小化导通电阻。 此器件特别适用于低电压应用， 并且在超小外形的表面贴装封装中实现低功耗。