MEE7816S-G
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
MEE7816S-G
MEE7816S 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管， 采用 Force-MOS 专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。 这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷， 并增强雪崩能力。 这些器件特别适用于中压应用， 如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他调光电源电路， 以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
品牌
MATSUKI
封装
DFN-8(3x3)
库存
2,425
货期
现货
MEE7816S-G参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2425 |
MEE7816S-G概述
MEE7816S 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管， 采用 Force-MOS 专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。 这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷， 并增强雪崩能力。 这些器件特别适用于中压应用， 如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他调光电源电路， 以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
MEE7816S-G特性
暂无产品特性。
MEE7816S-G应用领域
暂无应用领域。