MEE4294-G
IC
SOP-8
可供量大可议
MEE4294-G
MEE4294-G是采用高单元密度EMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如AC/DC适配器或PC电源的同步整流， 在这类应用中， 需要在超小外形的表面贴装封装中进行负载开关操作并降低线路功率损耗
品牌
MATSUKI
封装
SOP-8
库存
30
货期
现货
MEE4294-G参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MEE4294-G概述
MEE4294-G是采用高单元密度EMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如AC/DC适配器或PC电源的同步整流， 在这类应用中， 需要在超小外形的表面贴装封装中进行负载开关操作并降低线路功率损耗
MEE4294-G特性
暂无产品特性。
MEE4294-G应用领域
暂无应用领域。