MEE15N10
IC
TO-252
可供量大可议
MEE15N10
MEE15N10-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 EMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路， 以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
品牌
MATSUKI
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
MEE15N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MEE15N10概述
MEE15N10-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 EMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路， 以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
MEE15N10特性
暂无产品特性。
MEE15N10应用领域
暂无应用领域。