ME80N75T
IC
TO-220
可供量大可议
ME80N75T
ME80N75T 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
品牌
MATSUKI
封装
TO-220
库存
37
货期
现货
ME80N75T参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
ME80N75T概述
ME80N75T 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
ME80N75T特性
暂无产品特性。
ME80N75T应用领域
暂无应用领域。