ME80N08A
IC
TO-220
可供量大可议
ME80N08A
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路
品牌
MATSUKI
封装
TO-220
库存
4
货期
现货
ME80N08A参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
ME80N08A概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路
ME80N08A特性
暂无产品特性。
ME80N08A应用领域
暂无应用领域。