ME7423S-G
IC
DFN-8-EP(3.3x3.3)
可供量大可议
ME7423S-G
ME7423 P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关和低线路功耗的电池供电电路， 且采用超小外形表面贴装封装
品牌
MATSUKI
封装
DFN-8-EP(3.3x3.3)
库存
2,660
货期
现货
ME7423S-G参数
| 封装 | DFN-8-EP(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2660 |
ME7423S-G概述
ME7423 P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关和低线路功耗的电池供电电路， 且采用超小外形表面贴装封装
ME7423S-G特性
暂无产品特性。
ME7423S-G应用领域
暂无应用领域。