ME7232S-G
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
ME7232S-G
ME7232S-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现较低的功率损耗
品牌
MATSUKI
封装
DFN-8(3x3)
库存
1,490
货期
现货
ME7232S-G参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1490 |
ME7232S-G概述
ME7232S-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现较低的功率损耗
ME7232S-G特性
暂无产品特性。
ME7232S-G应用领域
暂无应用领域。