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ME7170-G
IC

DFN-8-EP(6.1x5.2)

可供量大可议

ME7170-G

采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用, 如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路, 需要低侧开关和非常小外形尺寸表面贴装封装中的低在线功率损耗。

品牌

MATSUKI

封装

DFN-8-EP(6.1x5.2)

库存

10

货期

现货

ME7170-G参数

封装DFN-8-EP(6.1x5.2)
品牌MATSUKI(松木)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

ME7170-G概述

采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用, 如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路, 需要低侧开关和非常小外形尺寸表面贴装封装中的低在线功率损耗。

ME7170-G特性

暂无产品特性。

ME7170-G应用领域

暂无应用领域。

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