ME7170-G
IC
DFN-8-EP(6.1x5.2)
可供量大可议
ME7170-G
采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用, 如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路, 需要低侧开关和非常小外形尺寸表面贴装封装中的低在线功率损耗。
品牌
MATSUKI
封装
DFN-8-EP(6.1x5.2)
库存
10
货期
现货
ME7170-G参数
| 封装 | DFN-8-EP(6.1x5.2) |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
ME7170-G概述
采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用, 如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路, 需要低侧开关和非常小外形尺寸表面贴装封装中的低在线功率损耗。
ME7170-G特性
暂无产品特性。
ME7170-G应用领域
暂无应用领域。
