ME7114S-G
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
ME7114S-G
采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑电源管理, 以及其他需要低侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路, 采用非常小的外形表面贴装封装。
品牌
MATSUKI
封装
DFN-8(3x3)
库存
60
货期
现货
ME7114S-G参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
ME7114S-G概述
采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑电源管理, 以及其他需要低侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路, 采用非常小的外形表面贴装封装。
ME7114S-G特性
暂无产品特性。
ME7114S-G应用领域
暂无应用领域。
