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ME7114S-G
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

ME7114S-G

采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑电源管理, 以及其他需要低侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路, 采用非常小的外形表面贴装封装。

品牌

MATSUKI

封装

DFN-8(3x3)

库存

60

货期

现货

ME7114S-G参数

封装DFN-8(3x3)
品牌MATSUKI(松木)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存60

ME7114S-G概述

采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑电源管理, 以及其他需要低侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路, 采用非常小的外形表面贴装封装。

ME7114S-G特性

暂无产品特性。

ME7114S-G应用领域

暂无应用领域。

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