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ME6968ED
IC

TSSOP-8

可供量大可议

ME6968ED

ME6968ED双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用, 如手机和笔记本电脑的电源管理, 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且线路功率损耗低的电池供电电路

品牌

MATSUKI

封装

TSSOP-8

库存

7

货期

现货

ME6968ED参数

封装TSSOP-8
品牌MATSUKI(松木)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存7

ME6968ED概述

ME6968ED双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用, 如手机和笔记本电脑的电源管理, 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且线路功率损耗低的电池供电电路

ME6968ED特性

暂无产品特性。

ME6968ED应用领域

暂无应用领域。

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