ME5V0Z1BABH
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ME5V0Z1BABH
双向ESD, 截止电压：5.0V， 峰值浪涌电流(8/200μs）：30A@Vc<12V 峰值浪涌功率(8/200μs）：360W， 结电容（0Vbias 1MHZ)Cjmax<60pF
品牌
MDD
封装
DFN1006-2L
库存
9,900
货期
现货
ME5V0Z1BABH参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | MDD(辰达半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9900 |
ME5V0Z1BABH概述
双向ESD, 截止电压：5.0V， 峰值浪涌电流(8/200μs）：30A@Vc<12V 峰值浪涌功率(8/200μs）：360W， 结电容（0Vbias 1MHZ)Cjmax<60pF
ME5V0Z1BABH特性
暂无产品特性。
ME5V0Z1BABH应用领域
暂无应用领域。