ME5V0U1BABE
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ME5V0U1BABE
深回扫SCR超低残压超低电容ESD， 截止电压：5.0V， 峰值浪涌电流(8/20μs）：4A, 浪涌钳位电压(8/20μs）：3V, 寄生电容Cj：0.2pF, 峰值浪涌功率(8/20us)12W
品牌
MDD
封装
DFN1006-2L
库存
1,860
货期
现货
ME5V0U1BABE参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | MDD(辰达半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1860 |
ME5V0U1BABE概述
深回扫SCR超低残压超低电容ESD， 截止电压：5.0V， 峰值浪涌电流(8/20μs）：4A, 浪涌钳位电压(8/20μs）：3V, 寄生电容Cj：0.2pF, 峰值浪涌功率(8/20us)12W
ME5V0U1BABE特性
暂无产品特性。
ME5V0U1BABE应用领域
暂无应用领域。