ME55N06A-G
IC
TO-252-2
可供量大可议
ME55N06A-G
ME55N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
品牌
MATSUKI
封装
TO-252-2
库存
23
货期
现货
ME55N06A-G参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
ME55N06A-G概述
ME55N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
ME55N06A-G特性
暂无产品特性。
ME55N06A-G应用领域
暂无应用领域。