ME55N06A
IC
TO-252
可供量大可议
ME55N06A
ME55N06A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
品牌
MATSUKI
封装
TO-252
库存
2,420
货期
现货
ME55N06A参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2420 |
ME55N06A概述
ME55N06A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
ME55N06A特性
暂无产品特性。
ME55N06A应用领域
暂无应用领域。