ME50N06A-G
IC
TO-252-2
可供量大可议
ME50N06A-G
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流-直流转换器电路
品牌
MATSUKI
封装
TO-252-2
库存
2,475
货期
现货
ME50N06A-G参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2475 |
ME50N06A-G概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流-直流转换器电路
ME50N06A-G特性
暂无产品特性。
ME50N06A-G应用领域
暂无应用领域。