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ME4626
IC

SOP-8

可供量大可议

ME4626

ME4626 - G是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管, 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑的电源管理, 以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路, 并且采用超小外形表面贴装封装

品牌

MATSUKI

封装

SOP-8

库存

19

货期

现货

ME4626参数

封装SOP-8
品牌MATSUKI(松木)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存19

ME4626概述

ME4626 - G是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管, 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑的电源管理, 以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路, 并且采用超小外形表面贴装封装

ME4626特性

暂无产品特性。

ME4626应用领域

暂无应用领域。

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