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ME3V3U1BABL
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

ME3V3U1BABL

小回扫双向ESD, 截止电压:3.3V, 峰值浪涌电流(8/20μs):6A@Vc<10V, Co=0.35pF 峰值浪涌功率(8/20μs):60W

品牌

MDD

封装

DFN1006-2L

库存

10,000

货期

现货

ME3V3U1BABL参数

封装DFN1006-2L
品牌MDD(辰达半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10000

ME3V3U1BABL概述

小回扫双向ESD, 截止电压:3.3V, 峰值浪涌电流(8/20μs):6A@Vc<10V, Co=0.35pF 峰值浪涌功率(8/20μs):60W

ME3V3U1BABL特性

暂无产品特性。

ME3V3U1BABL应用领域

暂无应用领域。

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