ME3920-G
IC
TSOP-6
可供量大可议
ME3920-G
ME3920 - G 是双 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且采用非常小外形的表面贴装封装， 可实现低在线功率损耗
品牌
MATSUKI
封装
TSOP-6
库存
40
货期
现货
ME3920-G参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
ME3920-G概述
ME3920 - G 是双 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且采用非常小外形的表面贴装封装， 可实现低在线功率损耗
ME3920-G特性
暂无产品特性。
ME3920-G应用领域
暂无应用领域。