ME3587-G

N-和P-通道逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小尺寸表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。