ME2N7002D
IC
SOT-23
可供量大可议
ME2N7002D
ME2N7002D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路， 采用超小外形表面贴装封装
品牌
MATSUKI
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
ME2N7002D参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
ME2N7002D概述
ME2N7002D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路， 采用超小外形表面贴装封装
ME2N7002D特性
暂无产品特性。
ME2N7002D应用领域
暂无应用领域。