ME2323D
IC
SOT-23
可供量大可议
ME2323D
ME2323D(-G) 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路
品牌
MATSUKI
封装
SOT-23
库存
2,420
货期
现货
ME2323D参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2420 |
ME2323D概述
ME2323D(-G) 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路
ME2323D特性
暂无产品特性。
ME2323D应用领域
暂无应用领域。