ME2309-G

P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机和笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路， 采用非常小的外形表面贴装封装。