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ME2309
IC

SOT-23

可供量大可议

ME2309

ME2309是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专为最大限度降低导通电阻而设计。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑的电源管理, 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路

品牌

MATSUKI

封装

SOT-23

库存

2,945

货期

现货

ME2309参数

封装SOT-23
品牌MATSUKI(松木)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2945

ME2309概述

ME2309是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专为最大限度降低导通电阻而设计。 这些器件特别适用于低压应用, 如手机和笔记本电脑的电源管理, 以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路

ME2309特性

暂无产品特性。

ME2309应用领域

暂无应用领域。

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