ME2306D-G
IC
SOT-23
可供量大可议
ME2306D-G
ME2306D是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关且在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路
品牌
MATSUKI
封装
SOT-23
库存
280
货期
现货
ME2306D-G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 280 |
ME2306D-G概述
ME2306D是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关且在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路
ME2306D-G特性
暂无产品特性。
ME2306D-G应用领域
暂无应用领域。