ME2306A-G
IC
SOT-23
可供量大可议
ME2306A-G
ME2306A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且能够以极小外形尺寸的表面贴装封装实现低线路功率损耗
品牌
MATSUKI
封装
SOT-23
库存
5,100
货期
现货
ME2306A-G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5100 |
ME2306A-G概述
ME2306A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且能够以极小外形尺寸的表面贴装封装实现低线路功率损耗
ME2306A-G特性
暂无产品特性。
ME2306A-G应用领域
暂无应用领域。