ME20N15-G
IC
TO-252-3
可供量大可议
ME20N15-G
ME20N15是采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门为最大限度降低导通电阻而设计。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理， 以及其他需要高端开关且采用极小外形尺寸表面贴装封装以实现低在线功率损耗的电池供电电路
品牌
MATSUKI
封装
TO-252-3
库存
340
货期
现货
ME20N15-G参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 340 |
ME20N15-G概述
ME20N15是采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门为最大限度降低导通电阻而设计。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理， 以及其他需要高端开关且采用极小外形尺寸表面贴装封装以实现低在线功率损耗的电池供电电路
ME20N15-G特性
暂无产品特性。
ME20N15-G应用领域
暂无应用领域。