ME1V0U1BABS
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
ME1V0U1BABS
深回扫SCR超低残压超低电容ESD, 截止电压：1.0V， 峰值浪涌电流(8/20μs）：7A, 浪涌钳位电压(8/20μs）：4V, 寄生电容Cj：0.35pF, 峰值浪涌功率(8/20us)28W
Brand
MDD
Package
DFN1006-2L
Stock
9,200
货期
现货
ME1V0U1BABSParameters
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | MDD(辰达半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9200 |
ME1V0U1BABS概述
深回扫SCR超低残压超低电容ESD, 截止电压：1.0V， 峰值浪涌电流(8/20μs）：7A, 浪涌钳位电压(8/20μs）：4V, 寄生电容Cj：0.35pF, 峰值浪涌功率(8/20us)28W
ME1V0U1BABS特性
暂无产品特性。
ME1V0U1BABS应用领域
暂无应用领域。