ME15N25-G
IC
TO-252-3L
可供量大可议
ME15N25-G
ME15N25是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用
品牌
MATSUKI
封装
TO-252-3L
库存
2
货期
现货
ME15N25-G参数
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
ME15N25-G概述
ME15N25是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用
ME15N25-G特性
暂无产品特性。
ME15N25-G应用领域
暂无应用领域。