ME12N04
IC
TO-252-3
可供量大可议
ME12N04
ME12N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路， 且采用非常小尺寸的表面贴装封装
品牌
MATSUKI
封装
TO-252-3
库存
1
货期
现货
ME12N04参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
ME12N04概述
ME12N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机和笔记本电脑的电源管理， 以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路， 且采用非常小尺寸的表面贴装封装
ME12N04特性
暂无产品特性。
ME12N04应用领域
暂无应用领域。