ME08N20-G
IC
TO-252-3
可供量大可议
ME08N20-G
ME08N20是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流 - 直流转换器电路
品牌
MATSUKI
封装
TO-252-3
库存
1,450
货期
现货
ME08N20-G参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | MATSUKI(松木) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1450 |
ME08N20-G概述
ME08N20是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用， 如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流 - 直流转换器电路
ME08N20-G特性
暂无产品特性。
ME08N20-G应用领域
暂无应用领域。