MDV3605URH-HXY

MDV3605URH P沟道MOSFET以其先进的DFN3X3-8L封装形式展现， 实现小尺寸与优良散热性能的完美结合。 器件核心参数优越支持高达30V的电压额定值(VDSS)， 连续通过电流高达40A， 且具有出色的13mΩ导通电阻(RD(on))， 确保了高效的电力传输和极低的能量损耗。 适用于电源转换、电机驱动等各种严苛环境下的高功率应用， 是提升系统效能和节能方案的理想半导体组件。