MDV3604URH-HXY

MDV3604 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用小型化DFN3X3-8L封装， 专为高密度电路设计。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)， 可承载高达32A的连续漏极电流(ID)， 并展现出极其出色的10mΩ导通电阻(RD(on))， 确保在大电流工作条件下仍然保持高效能与低发热。 这款MOS管广泛应用在电源转换、马达驱动、电池管理系统等场合， 是实现高功率密度和节能设计的理想之选。