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MDT9N20
IC

TO-252

可供量大可议

MDT9N20

MDT9N20 是硅 N 沟道增强型 MOSFET, 采用先进的 MOSFET 技术制造, 可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。

品牌

minos

封装

TO-252

库存

1,315

货期

现货

MDT9N20参数

封装TO-252
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1315

MDT9N20概述

MDT9N20 是硅 N 沟道增强型 MOSFET, 采用先进的 MOSFET 技术制造, 可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。

MDT9N20特性

暂无产品特性。

MDT9N20应用领域

暂无应用领域。

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