MDT80N06D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
MDT80N06D
MDT80N06D采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷， 可用于多种应用场景。
品牌
minos
封装
TO-252-2L
库存
1,905
货期
现货
MDT80N06D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1905 |
MDT80N06D概述
MDT80N06D采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷， 可用于多种应用场景。
MDT80N06D特性
暂无产品特性。
MDT80N06D应用领域
暂无应用领域。