MDT4N65
IC
TO-252
可供量大可议
MDT4N65
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。 这项最新技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 并具备高耐用性雪崩特性。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器
品牌
minos
封装
TO-252
库存
2,495
货期
现货
MDT4N65参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2495 |
MDT4N65概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。 这项最新技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 并具备高耐用性雪崩特性。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器
MDT4N65特性
暂无产品特性。
MDT4N65应用领域
暂无应用领域。